精品人妻系列无码人妻漫画,久久精品国产一区二区三区,国产精品无码专区,无码人妻少妇伦在线电影,亚洲人妻熟人中文字幕一区二区,jiujiuav在线,日韩高清久久AV

中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)歡迎您!
當(dāng)前位置: 首頁(yè) >新聞動(dòng)態(tài)>國(guó)際新聞 返回

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池商業(yè)化進(jìn)程的巨大進(jìn)步

作者:中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)新聞中心 來(lái)源:材料牛 發(fā)布時(shí)間:2018-05-15 瀏覽:

中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)訊:【引言】

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池自從2009年首次報(bào)道以來(lái)已經(jīng)取得了巨大進(jìn)展。大部分溶液法制備的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池已認(rèn)證的效率達(dá)到20%以上。然而幾乎所有高效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池都是用旋涂法制備的,這種制備方法無(wú)法滿足工業(yè)化的高吞吐量與規(guī)模化制備的要求。研究者研發(fā)了幾種適用于規(guī)?;a(chǎn)的鈣鈦礦薄膜制備方法,如:刮刀涂布法、噴霧沉積法、噴墨打印法和電沉積等。其中,由于刮刀涂布法的基底溫度可控,因此在規(guī)?;苽涓哔|(zhì)量、大晶粒鈣鈦礦薄膜方法中脫穎而出。值得欣慰的是刮刀涂布法制備的鈣鈦礦太陽(yáng)電池效率以及高達(dá)19%,已經(jīng)十分接近旋涂法制備的器件。

商業(yè)化生產(chǎn)不僅要滿足與規(guī)?;a(chǎn),還要滿足制造成本低。但是現(xiàn)在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池都需要昂貴的空穴傳輸層來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率,如spiro-OMeTAD等。此外,疏水性的空穴傳輸層的存在導(dǎo)致將鈣鈦礦薄膜很難刮涂上去。因此考慮將空穴傳輸層去掉不僅有利于降低材料成本,還有利于降低制造成本,節(jié)約時(shí)間。

然而在去掉空穴傳輸層后,鈣鈦礦薄膜與ITO的功函數(shù)不匹配導(dǎo)致空穴很難從鈣鈦礦傳輸至ITO層,因此導(dǎo)致器件效率低下。如何解決功函數(shù)匹配問(wèn)題是制備無(wú)空穴層高效鈣鈦礦太陽(yáng)能電池面臨的巨大挑戰(zhàn)。

【成果簡(jiǎn)介】

近日,北卡羅納大學(xué)和內(nèi)布拉斯加大學(xué)林肯分校的黃勁松教授在Nat. Commun.上發(fā)表了一篇題為“Molecular doping enabled scalable blading of efficient hole-transport-layer-free perovskite solar cells”的文章。該文章報(bào)道了一種分子摻雜策略成功的解決了鈣鈦礦與ITO的能帶不匹配問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了效率高達(dá)20%的無(wú)空穴傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,此外該研究配合刮刀涂布法成功實(shí)現(xiàn)了高效太陽(yáng)能電池的量產(chǎn)化。

【圖文簡(jiǎn)介】

圖1:刮刀涂布法和摻雜F4TCNQ分子的鈣鈦礦薄膜

(a)刮刀涂布鈣鈦礦薄膜示意圖和F4TCNQ摻雜劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)式;

(b)基底為150攝氏度,刮涂在ITO上的鈣鈦礦薄膜的側(cè)面SEM圖;

(c-h(huán))無(wú)摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖(c)和表面勢(shì)壘圖(f);F4TCNQ摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖(d)和表面勢(shì)壘圖g);將F4TCNQ顆粒灑在雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖(e)和表面勢(shì)壘圖(h);

(i)不同鈣鈦礦膜表面電位分布;

(j)MAPbI3:F4TCNQ共混物能量圖和電子轉(zhuǎn)移過(guò)程示意圖。

圖2:純鈣鈦礦薄膜和摻雜鈣鈦礦薄膜的電導(dǎo)率和光致發(fā)光壽命

(a)鈣鈦礦薄膜橫向電導(dǎo)率的測(cè)試模型;

(b)摻雜與無(wú)摻雜鈣鈦礦薄膜的I-V曲線;

(c)時(shí)間分辨光致發(fā)光曲線;

(d)導(dǎo)電原子力顯微鏡測(cè)試方法;

(e-h(huán))無(wú)摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖(e)和在晶粒上與晶界上的C-V圖(f);摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖(g)和在晶粒上與晶界上的C-V圖(h)。

圖3:鈣鈦礦薄膜形貌,器件結(jié)構(gòu)與光伏性能

(a-b)摻雜鈣鈦礦薄膜的低分辨率與高分辨率SEM圖;

(c)無(wú)空穴層鈣鈦礦電池器件結(jié)構(gòu)圖;

(d)J-V曲線;

(e)穩(wěn)態(tài)電流和穩(wěn)態(tài)PCE測(cè)試;

(f)EQE和積分電流;

(g)器件效率的統(tǒng)計(jì)分布圖。

圖4:界面空穴轉(zhuǎn)移機(jī)理

(a)空穴在ITO/MAPbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖;

(b)空穴在ITO/F4TCNQ-MAPbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖。

【小結(jié)】

該研究首先利用刮刀涂布法克服了大規(guī)模制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜難題,然后通過(guò)分子摻雜法解決了高效率無(wú)空穴傳輸層鈣鈦礦電池的難題。最后器件效率高達(dá)20%,并且?guī)缀鯚o(wú)遲滯效應(yīng)。該研究為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池商業(yè)化帶來(lái)了曙光。

分享到:

關(guān)鍵字:太陽(yáng)能電池

中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)版權(quán)說(shuō)明:

1、凡注明來(lái)源為“中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng):xxx(署名)”,除與中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)簽署內(nèi)容授權(quán)協(xié)議的網(wǎng)站外,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán),任何單位及個(gè)人不得轉(zhuǎn)載、摘編或以其它方式使用上述作品。

2、凡本網(wǎng)注明“來(lái)源:xxx(非中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng))”的作品,均轉(zhuǎn)載與其他媒體,目的在于傳播更多信息,但并不代表中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)、立場(chǎng)或證實(shí)其描述。其他媒體如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)與稿件來(lái)源方聯(lián)系,如產(chǎn)生任何版權(quán)問(wèn)題與本網(wǎng)無(wú)關(guān)。

3、如因作品內(nèi)容、版權(quán)以及引用的圖片(或配圖)內(nèi)容僅供參考,如有涉及版權(quán)問(wèn)題,可聯(lián)系我們直接刪除處理。請(qǐng)?jiān)?0日內(nèi)進(jìn)行。

4、有關(guān)作品版權(quán)事宜請(qǐng)聯(lián)系:13661266197、 郵箱:[email protected]