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PECVD:晶硅太陽能電池效率提升技術(shù)

作者:中國儲(chǔ)能網(wǎng)新聞中心 來源:光伏標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù) 發(fā)布時(shí)間:2015-07-30 瀏覽:

中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊:為了提高晶體硅太陽能電池的效率,通常需要減少太陽電池正表面的反射,還需要對(duì)晶體硅表面進(jìn)行鈍化處理,以降低表面缺陷對(duì)于少數(shù)載流子的復(fù)合作用。

 

硅的折射率為3.8,如果直接將光滑的硅表面放置在折射率為1.0的空氣中,其對(duì)光的反射率可達(dá)到30%左右。人們使用表面的織構(gòu)化降低了一部分反射,但是還是很難將反射率降得很低,尤其是對(duì)多晶硅,使用各向同性的酸腐蝕液,如果腐蝕過深,會(huì)影響到PN結(jié)的漏電流,因此其對(duì)表面反射降低的效果不明顯。因此,考慮在硅表面與空氣之間插一層折射率適中的透光介質(zhì)膜,以降低表面的反射,在工業(yè)化應(yīng)用中,SiNx膜被選擇作為硅表面的減反射膜,SiNx膜的折射率隨著x值的不同,可以從1.9變到2.3左右,這樣比較適合于在3.8的硅和1.0的空氣中進(jìn)行可見光的減反射設(shè)計(jì),是一種較為優(yōu)良的減反射膜。

 

另一方面,硅表面有很多懸掛鍵,對(duì)于N型發(fā)射區(qū)的非平衡載流子具有很強(qiáng)的吸引力,使得少數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合作用,從而減少電流。因此需要使用一些原子或分子將這些表面的懸掛鍵飽和。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),含氫的SiNx膜對(duì)于硅表面具有很強(qiáng)的鈍化作用,減少了表面不飽和的懸掛鍵,減少了表面能級(jí)。

 

綜合來看,SiNx膜被制備在硅的表面起到兩個(gè)最用,其一是減少表面對(duì)可見光的反射;其二,表面鈍化作用。

 

PECVD技術(shù)的分類

 

用來制備SiNx膜的方法有很多種,包括:化學(xué)氣相沉積法(CVD法)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD法)、低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)。在目前產(chǎn)業(yè)上常用的是PECVD法。

 

PECVD法按沉積腔室等離子源與樣品的關(guān)系上可以分成兩種類型:

 

直接法:樣品直接接觸等離子體,樣品或樣品的支撐體就是電極的一部分。

 

間接法:或稱離域法。待沉積的樣品在等離子區(qū)域之外,等離子體不直接打到樣品表面,樣品或其支撐體也不是電極的一部分。

直接法又分成兩種:

 

(1)管式PECVD系統(tǒng):即使用像擴(kuò)散爐管一樣的石英管作為沉積腔室,使用電阻爐作為加熱體,將一個(gè)可以放置多片硅片的石墨舟插進(jìn)石英管中進(jìn)行沉積。這種設(shè)備的主要制造商為德國的Centrotherm公司、中國的第四十八研究所、七星華創(chuàng)公司。

 

(2)板式PECVD系統(tǒng):即將多片硅片放置在一個(gè)石墨或碳纖維支架上,放入一個(gè)金屬的沉積腔室中,腔室中有平板型的電極,與樣品支架形成一個(gè)放電回路,在腔室中的工藝氣體在兩個(gè)極板之間的交流電場(chǎng)的作用下在空間形成等離子體,分解SiH4中的Si和H,以及NH3種的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統(tǒng)目前主要是日本島津公司在進(jìn)行生產(chǎn)。

 

間接法又分成兩種:

 

(1)微波法:使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外,先將氨氣離化,再轟擊硅烷氣,產(chǎn)生SiNx分子沉積在樣品表面。這種設(shè)備目前的主要制造商為德國的Roth&Rau公司。

 

(2)直流法:使用直流源激發(fā)等離子體,進(jìn)一步離化氨氣和硅烷氣。樣品也不與等離子體接觸。這種設(shè)備由荷蘭的OTB公司生產(chǎn)。

 

目前,在中國微波法PECVD系統(tǒng)占據(jù)市場(chǎng)的主流,而管式PECVD系統(tǒng)也占據(jù)不少份額,而島津的板式系統(tǒng)只有5~6條生產(chǎn)線在使用。直流法PECVD系統(tǒng)還沒有進(jìn)入中國市場(chǎng)。

 

除了上述幾種模式的PECVD系統(tǒng)外,美國的AppliedMaterial公司還開發(fā)了磁控濺射PECVD系統(tǒng),該系統(tǒng)使用磁控濺射源轟擊高純硅靶,在氨氣的氣氛中反應(yīng)濺射,形成SiNx分子沉積到樣品表面。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是不使用易爆的硅烷氣,安全性提高很多,另外沉積速率很高。

如果按照PECVD系統(tǒng)所使用的頻率范圍,又可將其分成以下幾類:

 

■0Hz:直流間接法——OTB公司

 

■40KHz:Centrotherm公司管式直接法PECVD和AppliedMaterial公司的磁控濺射系統(tǒng)

 

■250kHz:島津公司的板式直接法系統(tǒng)

 

■440kHz:Semco公司的板式直接法

 

■460kHz:Centrotherm公司管式直接法

 

■13.6MHz:Semco公司和MVSystem公司的板式直接法系統(tǒng)

 

■2450MHz:Roth&Rau公司的板式間接法系統(tǒng)。

 

原標(biāo)題:PECVD:晶硅太陽能電池效率提升技術(shù)

 

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