中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊：國電南瑞(600406.SH)公布，為加快公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，增強(qiáng)企業(yè)核心競爭力，提高募集資金使用效率和效果，降低募投項(xiàng)目投資風(fēng)險(xiǎn)，公司擬與國家電網(wǎng)有限公司(“國網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(“聯(lián)研院”)共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以工商部門核準(zhǔn)名稱為準(zhǔn)，“合資公司”)，其中，國電南瑞以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”部分募集資金55864.45萬元出資，占合資公司69.8305625%股權(quán)，聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資24135.55萬元(該出資技術(shù)的評(píng)估值已經(jīng)國有資產(chǎn)管理單位備案)，占合資公司30.1694375%股權(quán)。
上述事項(xiàng)將增加“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的實(shí)施主體暨對(duì)外關(guān)聯(lián)投資，相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件，技術(shù)難度大、研發(fā)及產(chǎn)線建設(shè)周期長、資金投入大,核心技術(shù)一直被國外企業(yè)壟斷，目前國內(nèi)高端人才缺乏，國內(nèi)僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務(wù)。聯(lián)研院是國網(wǎng)公司直屬科研單位，國內(nèi)首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備開發(fā)的高端科研機(jī)構(gòu)。聯(lián)研院于2010年開始研究功率半導(dǎo)體器件，擁有100多人的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的功率器件中試線，是國內(nèi)少數(shù)掌握高壓IGBT芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的單位之一。在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，聯(lián)研院承擔(dān)國家科技重大專項(xiàng)（02專項(xiàng)）“國產(chǎn)高壓大功率IGBT模塊電力系統(tǒng)應(yīng)用工程”等攻關(guān)任務(wù)，自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件，掌握成套的設(shè)計(jì)、制備等核心技術(shù)，打破了國外技術(shù)壟斷，成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品，實(shí)現(xiàn)了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。
通過與聯(lián)研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。為加快公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，增強(qiáng)企業(yè)核心競爭力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項(xiàng)目投資風(fēng)險(xiǎn)，公司擬以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設(shè)立合資公司，并增加合資公司為該項(xiàng)目的實(shí)施主體。
公司此次擬增加“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的實(shí)施主體，以計(jì)劃用于該項(xiàng)目設(shè)備投資的部分募集資金出資與聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資共同投資設(shè)立合資公司,即由該合資公司實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分投資。涉及變更實(shí)施主體的計(jì)劃投資額55864.45萬元，占“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。
