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二硫化鉬納米片功函數(shù)相關(guān)研究獲進展

作者：新聞中心 來源：中國科學報 發(fā)布時間：2013-08-28 瀏覽：次
     中國儲能網(wǎng)訊：哈爾濱工業(yè)大學的研究人員在二維二硫化鉬（MoS2）納米片功函數(shù)及載流子濃度調(diào)控研究方面取得進展，相關(guān)論文日前在《美國化學會·納米》（ACS Nano）刊發(fā)。
 
    據(jù)介紹，與石墨烯相比，二維MoS2納米片具有合適的帶隙，適用于光檢測等功能器件。金屬電極與MoS2納米片之間的電接觸行為對器件性能的影響很大，研究者需要了解接觸處的能帶排列，因此對MoS2納米片功函數(shù)的表征及調(diào)控成為最近的研究熱點。
 
    研究人員通過引入具有偶極動量的自組裝單分子層，成功對MoS2納米片載流子及功函數(shù)進行了調(diào)控，其自組裝單層能夠使得單層MoS2納米片的場效應(yīng)晶體管極性發(fā)生變化。通過調(diào)節(jié)MoS2納米片的功函數(shù)來調(diào)控MoS2納米片功能器件中金屬電極與MoS2接觸處的接觸勢壘，能夠指導基于電接觸的功能器件的設(shè)計及制備，用于氣敏及光響應(yīng)器件等領(lǐng)域。
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