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輝鉬柔性芯片誕生 或取代石墨烯?

作者:新聞中心 來源:數(shù)字儲(chǔ)能網(wǎng) 發(fā)布時(shí)間:2013-03-08 瀏覽:
    中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊:轉(zhuǎn)自美國知名科技網(wǎng)站CNET最新報(bào)道,美國加州納米技術(shù)研究院(簡稱CNSI)成功使用MoS2(輝鉬,二硫化鉬)制造出了輝鉬基柔性微處理芯片,這個(gè)MoS2為基礎(chǔ)的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小,功耗極低,輝鉬制成的晶體管在待機(jī)情況下的功耗為硅晶體管的十萬分之一,而且比同等尺寸的石墨烯電路更加廉價(jià)!而最大的變化是其電路有很強(qiáng)的柔性,極薄,可以附著在人體皮膚之上。
 
  2011年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院洛桑分校(EPFL)科學(xué)家制造出全球第一個(gè)輝鉬礦微晶片(上面有更小且更節(jié)能的電晶體)輝鉬是未來取代硅基芯片強(qiáng)力競爭者!領(lǐng)導(dǎo)研究的安德拉斯·基什教授表示,輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料,在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景秀,而這次美國加州納米技術(shù)研究院制成的輝鉬基柔性微處理芯片未來前景將更加廣泛。
 
  同硅和石墨烯相比,輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小,輝鉬單分子層是二維的,而硅是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上,電子運(yùn)動(dòng)和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易,輝鉬礦是可以被加工到只有3 個(gè)原子厚的!
 
  輝鉬所具有的機(jī)械特性也使得它受到關(guān)注,有可能成為一種用于彈性電子裝置(例如最近出現(xiàn)在彈性薄層晶片設(shè)計(jì)中的那種)中的材料。 可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體。
 
  英國《自然·納米技術(shù)》雜志就指出:單層的輝鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性,有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的硅和研究熱門石墨烯,可望成為下一代半導(dǎo)體材料。
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