中國儲能網(wǎng)訊：飛思卡爾半導體公司日前推出了其首款蜂窩移動通信基站專用的氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管。新產(chǎn)品A2G22S160-01S在無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用所使用的30W和40W放大器中表現(xiàn)優(yōu)異。這款產(chǎn)品是面向蜂窩移動通信市場的Airfast系列GaN晶體管的第一款產(chǎn)品。
作為射頻功率晶體管市場的領(lǐng)跑者，飛思卡爾推出的GaN射頻解決方案使客戶在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場中有了更多世界級的產(chǎn)品選擇。就在新產(chǎn)品發(fā)布的幾個月前，飛 思卡爾才推出了MMRF5014H，這是它第一款面向軍事及工業(yè)應(yīng)用的GaN 射頻功率晶體管。目前，這款產(chǎn)品在熱感與寬帶射頻性能表現(xiàn)方面仍是100W級別GaN晶體管中的佼佼者。
飛思卡爾高級副總裁兼射頻業(yè)務(wù)總經(jīng)理Paul Hart表示：“飛思卡爾正將GaN應(yīng)用從小眾市場引領(lǐng)向如蜂窩移動通信基礎(chǔ)設(shè)施這樣的主流應(yīng)用市場。是時候向我們龐大的電信客戶群推薦我們的GaN解決 方案了。除了A2G22S160-01S的超級性能外，我們的蜂窩移動通信客戶還將擁有飛思卡爾的高產(chǎn)能和全球性的售后服務(wù)做保障?！?
與硅相比，GaN具有更高的功率轉(zhuǎn)化效率，更快的轉(zhuǎn)換速度以及更高的功率密度，故而以它為基礎(chǔ)而制造出的功率晶體管與傳統(tǒng)器件相比體積更小，功能也更強 大。這要得益于GaN的幾大特性—較寬的帶隙，較強的臨界電場以及高水平的電子遷移率。雖然GaN的轉(zhuǎn)移在過去花費過高，但最近的商業(yè)和技術(shù)進步正使制作 成本逐漸降低。作為半導體制造業(yè)中一直以來的領(lǐng)跑者，飛思卡爾正在某些世界級的大型市場展示GaN材料的優(yōu)點，同時也在主流商業(yè)基站市場中實現(xiàn)了GaN功 率放大器的大規(guī)模部署。
飛思卡爾Airfast系列射頻功率產(chǎn)品涵蓋了600MHz到3.8GHz的所有無線蜂窩移動通信頻段，采用多種半導體技術(shù)。A2G22S160-01S 專為1800-2200MHz頻率范圍的基站設(shè)計，性能優(yōu)異。例如，在40W的Doherty雙向不對稱放大器中，其載波通道裝有一根 A2G22S160-01S晶體管，峰值通道裝有兩個A2G22S160-01S晶體管，則它的最大輸出功率為56.2dBm。通過8dB的輸出回退 （OBO），功率增益可達到15.4dB, 效率則可達到56.7%。當此放大器受到兩個20MHzLTE載波單元（聚合后的帶寬則為40MHz）的驅(qū)動時，具備數(shù)字預(yù)失真（DPD）功能的鄰道功率 （ACP）則為55dBc。
供貨
A2G22S160-01S GaN射頻功率晶體管現(xiàn)正在生產(chǎn)中，參考設(shè)計和其他支持方案已可獲得。有關(guān)定價及其他信息，請聯(lián)系當?shù)仫w思卡爾銷售辦公室。
