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晶硅薄片讓太陽能電池成本減半

作者: 來源:綜合報道 發(fā)布時間:2012-03-16 瀏覽:次
     中國儲能網(wǎng)訊:高能氫離子束轟擊3毫米厚的晶硅盤,離子積累的精確深度達(dá)到20微米,機(jī)械臂就會快速移去晶圓,然后放在爐子里,這樣,硅中的離子就會形成微觀氫氣氣泡,這些氣泡會擴(kuò)大,在硅晶片中形成微小裂縫,這就會使20微米厚的硅層剝落下來。
 
    雙溪技術(shù)公司(Twin Creeks Technologies)是一家新創(chuàng)公司,一直在默默無聞地經(jīng)營,今天,公司開發(fā)出一種方法,用以制作晶硅薄片,它說可以使硅太陽能電池的生產(chǎn)成本減少一半。公司在一所小工廠展示了這項(xiàng)技術(shù),這是一所每年25兆瓦的太陽能電池工廠,正在建設(shè)之中,就在密西西比州(Mississippi)的塞納陶比亞(Senatobia)。
 
    柔性電源:雙溪公司20微米厚的金屬涂層硅片柔韌強(qiáng)大。來源:麻省理工科技創(chuàng)業(yè) 
 
    西哇•西哇拉姆(Siva Sivaram)是雙溪公司首席執(zhí)行官,他說,公司的技術(shù)既減少了所需硅的數(shù)量,也減少了生產(chǎn)設(shè)備的成本。他聲稱,公司生產(chǎn)太陽能電池,大約只需每瓦40美分,相比之下,現(xiàn)在最便宜的太陽能電池也需要約80美分。雙溪公司已籌集到9300萬美元風(fēng)險資本,再加上密西西比州的貸款和其他來源的資金,公司會用于建設(shè)它的太陽能工廠。
 
    晶硅片占太陽能電池的大部分,傳統(tǒng)方法制備晶硅片,需要切割塊狀或柱狀硅,形成200微米厚的晶圓,這個工藝會把大約一半的硅變成廢棄物。業(yè)界使用200微米的晶圓,因?yàn)榫A太薄,就很脆,往往會在生產(chǎn)線上碎裂。但在理論上,它們可以達(dá)到20至30微米薄,仍然會同樣有效,甚至?xí)行У匕烟柟廪D(zhuǎn)換成電能。
 
    雙溪公司的工藝可以制作20微米厚的硅片,基本上沒有浪費(fèi)。這需要使用薄層金屬,使它們足夠耐用,可以承受傳統(tǒng)太陽能電池加工設(shè)備。西哇拉姆說,因?yàn)榇蟠鬁p少了線鋸及相關(guān)設(shè)備的使用,而且制作更薄的晶圓,所以,雙溪公司所需的硅量減少了90%,也大大降低了資本費(fèi)用。他說,這項(xiàng)技術(shù)可以添加到現(xiàn)有的生產(chǎn)線上。這家公司的主要計劃是出售生產(chǎn)設(shè)備,而不是生產(chǎn)太陽能電池。“我預(yù)計,到明年這個時候,我們會有六到十二個這樣的工具實(shí)地使用,”他說。
    加快太陽能發(fā)電:雙溪公司的海曝離3(Hyperion 3)是離子加速器,用氫離子轟擊硅板,產(chǎn)生非常薄的太陽能硅片,用于太陽能電池。硅板排列在所說結(jié)構(gòu)的外圍,離子撞擊晶圓時,這些結(jié)構(gòu)會旋轉(zhuǎn)。來源:麻省理工科技創(chuàng)業(yè)
 
    這個工藝始于真空室,其中,高能氫離子束轟擊3毫米厚的晶體硅盤。離子積累的精確深度是20微米,這是由光束電壓控制的。一旦積累了足夠的離子,機(jī)械臂就會快速移去晶圓,然后放在爐子里,這樣,硅中的離子就會形成微觀氫氣氣泡,這些氣泡會擴(kuò)大,在硅晶片中形成微小裂縫,這就會使20微米厚的硅層剝落下來。公司把金屬襯板用于這樣的薄層硅上。公司使用的這一專用工藝使它不同于另一家公司,就是阿斯特羅瓦特公司(Astrowatt),這家公司制作的晶圓同樣薄。但是,阿斯特羅瓦特公司的晶圓只能略為彎曲,這就難以適用傳統(tǒng)的生產(chǎn)設(shè)備。
 
    雙溪公司的晶圓可兼容傳統(tǒng)的太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備,而且,也兼容現(xiàn)在使用的一些工藝,可制作先進(jìn)的太陽能電池設(shè)計,如異質(zhì)結(jié)構(gòu)電池(heterojunction cells)。 西哇拉姆說,這種氫離子工藝可以采用硅以外的單晶材料,包括砷化鎵(gallium arsenide),這種半導(dǎo)體生產(chǎn)的太陽能電池,效率打破世界紀(jì)錄。
 
    使用離子束制作晶硅薄晶圓,以前也考慮過,但過于昂貴,難以成為一種實(shí)用的制造方法。它需要粒子加速器,產(chǎn)生的離子束要有非常高的電流和非常高的能量,“這樣的東西過去是不存在的,”西哇拉姆說。他說,為了使這項(xiàng)技術(shù)可行,雙溪公司開發(fā)出一種離子加速器,比市面上的任何加速器都要“強(qiáng)10倍”。
 
    雖然公司強(qiáng)調(diào),這項(xiàng)技術(shù)兼容現(xiàn)有的生產(chǎn)線,但是,它確實(shí)要求,至少要有一項(xiàng)改變。通常情況下,晶圓經(jīng)處理,會形成粗糙的表面紋理,這有助于它們吸收光線,而不是反射光線。這種紋理是由金字塔組成,高度相當(dāng)于雙溪公司晶圓的厚度,所以,與新晶片一起使用是不切實(shí)際的。
 
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