日本產綜研采用此次方法試制了薄膜硅型太陽能電池，發(fā)現該方法可將光劣化率抑制在10%、獲得9.6%的轉換效率。今后計劃通過改進光密封技術等，使轉換效率超過目前全球最高值的10.1%。
在薄膜硅型太陽能電池中做為發(fā)電層的非晶硅層，存在照射光線后特性就會劣化的“致命性問題”(產綜研)。這導致設置薄膜硅型太陽能電池模塊并照射光線后的轉換效率，普遍比剛制造完時降低19%左右。
光劣化的原因在于非晶硅層的成膜過程。利用以SiH4為原料的等離子CVD進行成膜時，等離子產生的高硅烷(HOS簇)會進入膜中，引起光劣化。
因此，日本產綜研將等離子CVD反應器內用網狀金屬隔開，使等離子區(qū)遠離基板。這樣擴散速度較慢的簇狀高硅烷就會被排出去，不會到達基板。
另外，此次方法的最大課題是成膜速度變慢。普通的成膜速度在0.3nm/sec左右，而此次方法則降至0.03nm/sec，僅為前者的1/10。據介紹，這點可通過增加氣體流量等改進措施加以改善。
