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量子點(diǎn)可應(yīng)提高混合型太陽能電池效率

作者: 來源:麻省理工《科技創(chuàng)業(yè)》 發(fā)布時間:2012-06-04 瀏覽:
     中國儲能網(wǎng)訊:有時候,要解決大問題,你需要從小的地方開始,而且是非常小的地方。太平洋西北國家實(shí)驗(yàn)室(Pacific Northwest National Laboratory)化學(xué)成像部的科學(xué)家們所做的正是這樣,他們分析了硒化鎘(CdSe:cadmium selenide)量子點(diǎn)。量子點(diǎn)是納米尺度的粒子,具有不同于大尺度材料的光學(xué)和電子特性。研究小組發(fā)現(xiàn),尺度和環(huán)境會意外地改變量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)??梢岳斫?,有化學(xué)反應(yīng)存在于這些微小的變換中,這可用于混合型太陽能電池,提高電子遷移率,最終可以提高它們的整體效率,這就可以促進(jìn)國家的能源需求。
 
    量子點(diǎn)是納米尺度的粒子,具有不同于大尺度材料的光學(xué)和電子特性。尺度和環(huán)境會意外地改變量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)。來源:太平洋西北國家實(shí)驗(yàn)室 
 
    大多數(shù)量子點(diǎn)研究,都是集中改善電荷傳輸和收集,提高太陽能電池的效率,但是,很少關(guān)注下面的化學(xué)機(jī)制。這項(xiàng)研究首次考察了周圍環(huán)境和尺度,考察它們?nèi)绾芜M(jìn)行化學(xué)誘導(dǎo),改變半導(dǎo)體量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。最后,闡明了硒化鎘量子點(diǎn)的化學(xué)和電子結(jié)構(gòu)相互作用,因此,就可以揭示一些機(jī)制,改進(jìn)混合太陽能電池技術(shù)。
 
    “因?yàn)榛旌闲吞柲茈姵鼐哂芯薮蟮纳逃脻摿Γ?,大多?shù)人都開始考察它的整體電池效率,但是,忽視了從根本上理解化學(xué)和電子結(jié)構(gòu)的相互作用。”阿賈伊•卡拉考提(Ajay Karakoti)博士說,他是太平洋西北國家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家,也是這項(xiàng)研究的領(lǐng)導(dǎo),“我們試圖了解基本的相互作用。我們要確保,不改變化學(xué)和結(jié)構(gòu)的完整性。在這種情況下,它確實(shí)是這樣,這是意想不到的。”
 
    了解這些微小的變換所涉及的化學(xué)反應(yīng),可用于混合型太陽能電池,提高電子遷移率,最終可以提高它們的整體效率,這就可以促進(jìn)國家的能源需求。
 
    環(huán)境分子科學(xué)實(shí)驗(yàn)室(EMSL:Environmental Molecular Sciences Laboratory)的各種成像、光譜儀和衍射儀,都用于進(jìn)行這項(xiàng)工作。這些儀器包括微X射線衍射儀,X射線光電子能譜儀,紫外-可見光吸收和發(fā)射光譜儀??ɡ继岷秃现啐嬇_米•納其穆圖(Ponnusamy Nachimuthu)博士很快就解釋說,環(huán)境分子科學(xué)實(shí)驗(yàn)室用戶設(shè)施,可簡化應(yīng)用各種儀器和人員技能系列,這都是他們的研究所必須的。結(jié)合光譜儀和成像技術(shù),就可以提供化學(xué)特征徑跡,以及這些因素的空間分布。
 
    他們最初進(jìn)行研究,使用的是硒化鎘量子點(diǎn),用于它們的原生環(huán)境,然后澆鑄在硅片上,這只是一小步,還要進(jìn)行更詳細(xì)的考察,考察量子點(diǎn)融入聚合物基質(zhì)中的情況。根據(jù)這項(xiàng)研究,這個小組擴(kuò)展了研究重點(diǎn),確定硒化鎘量子點(diǎn)中缺陷態(tài)的來源,縮小尺度和作用,用于相變,電子結(jié)構(gòu)以及能帶排列(band alignments)。
 
    他們的論文《探測尺度和環(huán)境誘發(fā)相變的硒化鎘量子點(diǎn)》(Probing the Size- and Environment-Induced Phase Transformation in CdSe Quantum Dots),發(fā)表在2011年11月3日的《物理化學(xué)快報雜志》(Journal of Physical Chemistry Letters)雜志上。
 
 
    硒化鎘量子點(diǎn)尺寸與每立方硒化鎘的重量比,包括在甲苯中和澆鑄在硅上時的情況。來源:太平洋西北國家實(shí)驗(yàn)室 
 
    硒化鎘量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)的研究,采用原位微X射線衍射,X射線光電子能譜,紫外-可見光吸收和發(fā)射光譜。原位微衍射數(shù)據(jù)表明,硒化鎘量子點(diǎn)配位,是采用三辛基氧化(TOPO:trioctylphosphine oxide)或十六烷基(HADA:hexadecylamine),在甲苯(toluene)中的呈現(xiàn)主要是纖鋅礦(wurtzite)晶體結(jié)構(gòu),經(jīng)過相變,成為閃鋅礦(zinc blende)晶體結(jié)構(gòu),之后澆鑄在硅上。而且,減少硒化鎘量子點(diǎn)的尺寸,會促進(jìn)相變。X射線光電子能譜顯示,系統(tǒng)地增加核心層結(jié)合能,結(jié)合三維鎘和三維硒以及帶隙,需要縮小硒化鎘量子點(diǎn)的尺寸,會表現(xiàn)出量子限制。此外,鎘/硒的比例會增加,因?yàn)榱孔狱c(diǎn)的尺寸會從6.6納米降低到2.1納米,這就會增加硒的空位,從而引起相變。把硒化鎘量子點(diǎn)澆鑄在硅上,會改變配位基(capping ligands)的排列,這會顯著促進(jìn)更多的相變。
 
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