中國儲能網(wǎng)訊:據(jù)了解,美國加利福尼亞大學伯克利分校教授EliYablonovitch與美國AltaDevices公司組成的開發(fā)團隊,開發(fā)出了轉換效率為28.3%的單耦合型薄膜GaAs太陽能電池。據(jù)Yablonovitch介紹,在2010年時單耦合型GaAs太陽能電池的轉換效率最高值已超過26%(未聚光情況下)。
據(jù)介紹,此次開發(fā)的太陽能電池則基于了“逆向思維”,采用了提高單元背面的光反射率,盡量讓太陽能電池內(nèi)產(chǎn)生的光子逃逸到太陽能電池外部的構造。
據(jù)Yablonovitch介紹,這是因為研究人員發(fā)現(xiàn)太陽能電池的輸出電壓與再結合產(chǎn)生的光子數(shù)量之間存在著正相關的結果。太陽能電池通過光子的入射產(chǎn)生電子空穴對,從而發(fā)電。此時,部分電子空穴對在被電極提取之前會再結合,再次形成光子。
此前,太陽能電池開發(fā)的研究課題之一是如何減少這種再結合。但是,據(jù)Yablonovitch介紹,太陽能電池輸出電壓越高,通過再結合產(chǎn)生的光子就越多,這是無法避免的。因此,Yablonovitch想到,“如果把太陽能電池設計成便于增加再結合產(chǎn)生的光子就行了”。而且,通過理論計算證實,將再結合產(chǎn)生的光子積極逃逸到太陽能電池外部時,輸出電壓會提高。AltaDevices在基于這一思路試制太陽能電池時,獲得了打破原來記錄的轉換效率。