近日，在浙江中科院應(yīng)用技術(shù)研究院嘉興微電子設(shè)備與儀器工程中心，由夏洋帶領(lǐng)的微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團隊，在晶硅太陽能電池表面鈍化技術(shù)的研究中取得新進展。
該創(chuàng)新團隊利用自主設(shè)計生產(chǎn)的KMT-200A型原子層沉積設(shè)備，在P型單晶硅片上生長氧化鋁鈍化層，退火后平均少子壽命可達1ms，有效減少了硅片表面復(fù)合，具有優(yōu)秀的表面鈍化效果。
在半導(dǎo)體材料中，某種載流子占少數(shù)，導(dǎo)電中起到次要作用，則稱它為少子。單晶硅中摻硼為P型，摻硼越多，則能置換硅產(chǎn)生的空穴也越多，導(dǎo)電能力越強，電阻率就越低。
目前，微電子儀器與設(shè)備創(chuàng)新團隊以技術(shù)優(yōu)勢，吸引美國硅谷研究團隊來嘉興開展原子層技術(shù)合作，加快了國內(nèi)開發(fā)原子層沉積設(shè)備的研制，推進該項目在嘉興市的產(chǎn)業(yè)化。
嘉興中心推出了一系列的擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品，包括熱型設(shè)備、等離子體增強型設(shè)備和適于光伏產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的批量型設(shè)備，實現(xiàn)了國產(chǎn)原子層沉積設(shè)備在光伏產(chǎn)業(yè)首創(chuàng)應(yīng)用的新局面，為下一代高效晶硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了國產(chǎn)化設(shè)備支撐。
