中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊：對(duì)于充電樁領(lǐng)域的需求和挑戰(zhàn)，德州儀器始終致力于為客戶提供創(chuàng)新的芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí)解決方案。隨著用戶對(duì)充電速度和便利性需求的不斷提高，TI 與合作伙伴特來電攜手，在直流充電設(shè)備、交流充電設(shè)備以及功率分配單元（PDU）等領(lǐng)域進(jìn)行了密切合作，助力客戶實(shí)現(xiàn)更高功率、更高效率的充電解決方案，化解電動(dòng)車主的“續(xù)航焦慮”，讓隨時(shí)充電、即充即走、有序充電不再是夢想。
大功率充電過程要求充電樁中的直流模塊在尺寸相同的情況下，具有更高的集成度和功率密度，通過創(chuàng)新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制算法完成 AC-DC 和 DC-DC 的功率變換是非常重要的課題。
在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和算法的研究上，TI 持續(xù)投入大量的研發(fā)資源，同時(shí)聯(lián)合全球最頂尖的學(xué)術(shù)和工程團(tuán)隊(duì)，基于 TI 最新一代 C2000? 微控制器進(jìn)行方案級(jí)的創(chuàng)新，充分發(fā)揮 C2000? 微控制器的強(qiáng)大計(jì)算能力、高精度外設(shè)以及業(yè)界獨(dú)特的 MCU 模塊之間的配合機(jī)制，向行業(yè)推出諸如多電平控制拓?fù)?，i-TCM 等創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
對(duì)于高功率密度，提高開關(guān)管的開關(guān)頻率是關(guān)鍵性的因素，以 GaN 和 SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)可以在實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)的同時(shí)，在高壓設(shè)計(jì)中保持更高效率。在這個(gè)方向上，TI 可以提供基于 GaN FET 以及專門針對(duì) SiC FET 的智能驅(qū)動(dòng)解決方案，并在如何優(yōu)化設(shè)計(jì)高開關(guān)頻率電源系統(tǒng)上積累了大量寶貴的經(jīng)驗(yàn)，可以加快客戶產(chǎn)品投放市場的節(jié)奏。
除此之外，TI 也為諸如電流電壓采樣和通信接口及邏輯等方向提供高性價(jià)比的產(chǎn)品。在未來，我們將通過對(duì)制造工藝效率的升級(jí)和迭代，以新技術(shù)助推降本增效，以新產(chǎn)品為充電樁及其他高壓產(chǎn)業(yè)賦能。
