中國儲能網訊：近日，廈門大學物理與機電工程學院康俊勇教授課題組成功研制出新型寬帶隙半導體材料，為深紫外光子學的發(fā)展提供了新的思路和方向。相關研究成果日前發(fā)表于《自然》出版集團旗下的《科學報告》。
所謂深紫外光，指波長短于280納米的紫外線。這種光源波長短、頻率高，可在水及空氣凈化、疾病治療、信息技術等領域發(fā)揮獨特作用。傳統的深紫外光源通常由高壓汞燈產生，這種設備體積大、電壓高、毒性大，而用氮化鋁基寬帶隙半導體來產生深紫外光，可使設備體積不足米粒大、電壓僅需數伏特、無毒無害，且壽命長數百倍。
從2005年開始，康俊勇教授課題組便開始研發(fā)這種高純度的寬帶隙半導體深紫外光源材料和器件。此次研發(fā)出的材料由于純度和結構質量高，通過其中激子和光子的相互轉化特性可以輕松實現深紫外光的發(fā)射，從而大大提升激光器件的發(fā)光能效。
業(yè)內專家認為，廈大自主研發(fā)的這種半導體材料可為未來研制深紫外波段高信道容量的量子通信和激光器件等奠定材料基礎。（來源：中國科學報 溫才妃）
